RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
45
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
45
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.2
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3102
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link