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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

総合得点
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 49
    周辺 20% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 10.8
    テスト平均値
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 10.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1749 left arrow 2324

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
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