RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
比較する
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
66
周辺 41% 低遅延
考慮すべき理由
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
66
読み出し速度、GB/s
11.7
16.5
書き込み速度、GB/秒
7.2
9.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1749
1934
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAMの比較
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link