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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 72
    周辺 61% 低遅延
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 72
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 1817

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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