Comparaison de la RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Note globale

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 72

Autour de 61% latence réduite

Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.3 12.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.0 7.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 8500

Autour de 2.26 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1988 1817

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns