Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Puntuación global

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 72

En 61% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.3 12.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.0 7.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 8500

En 2.26 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1988 1817

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns