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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
72
左右 61% 更低的延时
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
72
读取速度,GB/s
12.7
15.3
写入速度,GB/s
7.5
8.0
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1817
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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