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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

総合得点
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

総合得点
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB 考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 52
    周辺 -126% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 14900
    周辺 1.14 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2173 left arrow 3227

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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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