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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Inmos + 256MB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
Inmos + 256MB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
11.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
71
周辺 -137% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
16800
5300
周辺 3.17 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
30
読み出し速度、GB/s
2,831.6
11.5
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
9.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
16800
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
2318
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Inmos + 256MB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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