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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Inmos + 256MB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Inmos + 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Inmos + 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
71
Intorno -137% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
16800
5300
Intorno 3.17 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
30
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
16800
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2318
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Inmos + 256MB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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