RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
71
Rund um -137% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
5300
Rund um 3.17 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
16800
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2318
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Inmos + 256MB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link