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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Inmos + 256MB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Inmos + 256MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Inmos + 256MB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
71
Autour de -137% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
16800
5300
Autour de 3.17 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
16800
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2318
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Inmos + 256MB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
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