RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
69
Autour de -156% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2288
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link