RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
69
Около -156% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2288
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link