RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
69
Около -156% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2288
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link