Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

総合得点

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 52

周辺 -79% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

12.2 9.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

9.6 7.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 14900

周辺 1.14 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

52 29
読み出し速度、GB/s

9.7 12.2
書き込み速度、GB/秒

7.2 9.6
メモリ帯域幅、mbps

14900 17000

Other

商品説明

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2173 2443

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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