Porównanie pamięci RAM Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Wynik ogólny

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 52

Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

12.2 9.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.6 7.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 14900

Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2173 2443

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns