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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
総合得点
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
総合得点
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
9.7
9.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
52
周辺 -41% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.8
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
14900
周辺 1.14 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
37
読み出し速度、GB/s
9.7
9.6
書き込み速度、GB/秒
7.2
7.8
メモリ帯域幅、mbps
14900
17000
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2173
2082
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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