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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.7
9.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
52
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
37
Velocità di lettura, GB/s
9.7
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
2082
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
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