RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

総合得点
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB 考慮すべき理由
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 48
    周辺 38% 低遅延
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 14200
    周辺 1.8 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.1 left arrow 15.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    14200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2272 left arrow 3047

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB RAMの比較

JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
メモリRAM