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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

総合得点
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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

総合得点
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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB 考慮すべき理由
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 39
    周辺 23% 低遅延
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB 考慮すべき理由
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 14200
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.1 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    14200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2272 left arrow 2529

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メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
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メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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