RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Porównaj
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14200
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
21300
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
2529
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB Porównanie pamięci RAM
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link