RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 30
    周辺 13% 低遅延
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 15.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 3423

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAMの比較

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
メモリRAM