RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.6 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 3406

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAMの比較

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kllisre 8GB
Kllisre 8GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
メモリRAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
メモリRAM