RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 30
    周辺 13% 低遅延
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 3255

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAMの比較

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
メモリRAM