RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905702-020.A00G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905702-020.A00G 8GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 80
    周辺 68% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 7.4
    テスト平均値
Kingston 9905702-020.A00G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 80
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 1698

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAMの比較

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Kingston 9905702-020.A00G 8GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
メモリRAM