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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
比較する
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KHX426C13/8G 8GB
総合得点
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
総合得点
Kingston KHX426C13/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
29
周辺 10% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
7.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston KHX426C13/8G 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.7
12.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
29
読み出し速度、GB/s
12.8
13.7
書き込み速度、GB/秒
9.0
7.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2143
2610
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAMの比較
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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