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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
総合得点
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
総合得点
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
26
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
12.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
25
読み出し速度、GB/s
12.8
15.4
書き込み速度、GB/秒
9.0
11.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2143
1870
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
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