RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 32
    周辺 19% 低遅延
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 3070

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAMの比較

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
メモリRAM