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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

総合得点
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 30
    周辺 13% 低遅延
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.7 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 10600
    周辺 2.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 10.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 2935

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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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