RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 32
    周辺 13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 11.9
    テスト平均値
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB 考慮すべき理由
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 11.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2213 left arrow 1875

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
メモリRAM