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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
11.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
1875
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
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