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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
49
周辺 -75% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
8.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
28
読み出し速度、GB/s
10.9
17.6
書き込み速度、GB/秒
8.7
15.4
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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