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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB 考慮すべき理由
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 35
    周辺 -46% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 2865

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G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Kingston 9905630-066.A00G 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905702-019.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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