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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
10.9
8.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
7.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
41
49
周辺 -20% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
41
読み出し速度、GB/s
10.9
8.9
書き込み速度、GB/秒
8.7
7.7
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2126
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