RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.9
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
49
Por volta de -20% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
41
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
7.7
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
2126
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link