RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 7.9
    テスト平均値
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB 考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 49
    周辺 -32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2427 left arrow 2512

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
メモリRAM