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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

総合得点
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 49
    周辺 -44% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.4 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 8.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 16.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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