Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    34 left arrow 49
    Wokół strony -44% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.4 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.1 left arrow 8.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
    Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    49 left arrow 34
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.9 left arrow 16.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.7 left arrow 12.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2427 left arrow 2616
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania