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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
46
49
周辺 -7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.9
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.8
8.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
46
読み出し速度、GB/s
10.9
15.9
書き込み速度、GB/秒
8.7
9.8
メモリ帯域幅、mbps
17000
25600
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2632
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Frequency (Mhz) *
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