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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
49
周辺 -75% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
8.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
28
読み出し速度、GB/s
10.9
12.0
書き込み速度、GB/秒
8.7
9.1
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2347
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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