Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Средняя оценка

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 49

Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.1 8.7

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 28
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 12.0
Скорость записи, Гб/сек

8.7 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 17000

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2427 2347

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB

модули RAM

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

модули RAM