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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

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総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.2 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 6.9
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 49
    周辺 -23% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 9.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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