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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
総合得点
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
49
周辺 -26% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
39
読み出し速度、GB/s
10.2
16.1
書き込み速度、GB/秒
8.1
11.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2465
2782
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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