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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
49
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
39
读取速度,GB/s
10.2
16.1
写入速度,GB/s
8.1
11.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2782
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
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