RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
バグを報告する
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 49
    周辺 -40% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 2767

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAMの比較

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
メモリRAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
メモリRAM
SK Hynix Kingston 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
メモリRAM