RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
49
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2767
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link