RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
47
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3136
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link