RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2461
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
UMAX Technology 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link