RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3510
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link