RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
92
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
53
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3020
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link